Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

SYSCOM

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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Descripción

Características Principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio
  • Frecuencia máxima de operación 30 MHz
  • Tensión de colector 13.5 Vcc
  • Potencia máxima de salida 70 Watt
  • Encapsulado formato T-40E
Características Clave
  • Transistor NPN epitaxial de silicio
  • Frecuencia máxima 30 MHz operación
  • Tensión colector 13.5 Vcc estable
  • Potencia salida 70 Watt alta eficiencia
  • Encapsulado T-40E resistente industrial
  • Ideal amplificación RF potencia

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