Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3
Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3

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Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3

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Descripción

Características Principales

  • Transistor de Silicio NPN
  • Voltaje Colector-Emisor: 60 Vdc
  • Corriente Colector: 25 Adc (máximo)
  • Disipación de Potencia: 200 Watts
  • Paquete: TO-3 (Montaje TO-204AA)
  • Diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación
  • Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor
  • Baja corriente de fuga
  • Excelente ganancia de corriente DC
  • Alto ancho de banda de ganancia de corriente

Especificaciones Principales

  • VCE(sat): 1.0 Vdc (máximo) a IC = 15 Adc
  • ICEX: 1.0 mAdc (máximo) a voltaje nominal
  • hFE: 20 (mínimo) a IC = 10 Adc
  • ft: 4.0 MHz (mínimo) a IC = 1.0 Adc
  • VCEO: 60 Vdc
  • IC: 25 Adc (continua), 50 Adc (pico)
  • PD: 200 Watts @ TC = 25°C
  • Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
  • TJ, Tstg: Rango de temperatura -65 a +200°C

Especificaciones Eléctricas

Características ON

  • VCE(sat): 1.0 Vdc (máx) a IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc
  • VCE(sat): 4.0 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
  • VBE(sat): 2.5 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
  • VBE(on): 1.5 Vdc (máx) a IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc

Características OFF

  • ICEO: 2.0 mAdc (máx) a VCE = 30 Vdc, IB = 0
  • ICEX: 1.0 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc
  • ICEX: 10 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C
  • ICBO: 1.0 mAdc (máx) a VCB = 60 Vdc, IE = 0
  • IEBO: 1.0 mAdc (máx) a VEB = 5.0 Vdc, IC = 0

Características Dinámicas y de Conmutación

Características Dinámicas

  • fT: 4.0 MHz (mín) a IC = 1.0 Adc
  • Cob: 500 pF (máx) a VCB = 10 Vdc
  • hfe: 20 (mín) a IC = 3.0 Adc

Características de Conmutación

  • tr: 0.7 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
  • ts: 1.0 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
  • tf: 0.8 ms (máx) a VCC = 30 Vdc

Características Térmicas

  • qJC: 0.875°C/W (máx) Resistencia térmica, unión a carcasa
  • Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
  • TJ(pk)-TC: P(pk) qJC(t) para tren de pulsos
  • Región segura de operación: Limitada por disipación térmica, segundo breakdown y límites de alambrado

Condiciones de Prueba

  • Prueba de pulso: Ancho de pulso ≤ 300 μs, ciclo de trabajo ≤ 2.0%
  • fT = |hfe| • ftest
  • Para curvas de conmutación: RB y RL variables
  • Niveles de entrada aproximados como se muestra

Aplicaciones Típicas

  • Amplificadores de potencia
  • Circuitos de conmutación
  • Fuentes de alimentación
  • Controles industriales
  • Circuitos de potencia general

Información de Empaque

El transistor 2N5885 está disponible en empaque TO-3 (Caso 1-07, TO-204AA) para montaje en disipadores de calor. El diseño de montaje permite una disipación térmica eficiente y una fácil instalación en circuitos de potencia.

Características Clave
  • Transistor NPN de silicio de 60 Vce
  • Corriente colector de 25 A continuos
  • Disipación de 200 W a 25°C
  • Bajo VCE(sat) de 1.0 V max
  • Alta ganancia DC (hFE) de 20 min
  • Ancho de banda 4.0 MHz min a 1.0 A

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