Transistor de Silicio NPN, 30 Vce, 15 Amp., 115 Watt, Paquete TO-3.

$ 69.85

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Modelo: 2N3055
Existencias: Agotado
Colecciones: Radiocomunicación, Radiocomunicación / Refacciones
Categoría: Misceláneo Refacciones Radiocomunicación

Pago Seguro

Descripción

Características Principales

Transistor de Silicio NPN
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
Corriente Colector (Ic): 15 A
Disipación Total: 115 W
Paquete TO-3 metálico
Resistencia Térmica (Rthj-case): 1.5 °C/W

Aplicaciones

Circuitos de conmutación de potencia
Reguladores de voltaje serie y paralelo
Etapa de salida en amplificadores
Amplificadores de alta fidelidad

Especificaciones Eléctricas

Vceo: 60 V
Vcer: 70 V
Vebo: 7 V
Ic: 15 A
Ib: 7 A
Vce(sat): 1 V (Ic=4A, Ib=400mA)
Vbe: 1.8 V (Ic=4A, Vce=4V)
hFE: 20-70 (Ic=4A, Vce=4V)
fT: 3 MHz (Ic=0.5A, Vce=10V)

Condiciones Máximas

Vcbo: 100 V
Vcer: 70 V
Vceo: 60 V
Vebo: 7 V
Ic: 15 A
Ib: 7 A
Ptot: 115 W
Tj: 200 °C
Tstg: -65 a 200 °C

Características Mecánicas

Paquete: TO-3
Material: Metal
Dimensiones: 39.30 mm (U) x 30.30 mm (V)
Peso: 40 g

Características Clave

Transistor NPN de silicio de alta potencia
VCEO de 60 V y corriente de 15 A
Disipación de 115 W en paquete TO-3
Baja resistencia térmica de 1.5 °C/W
Frecuencia de transición de 3 MHz
Aplicaciones en conmutación, reguladores y amplificadores de alta fidelidad

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