Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.
Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

SYSCOM

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

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Descripción

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio con 100 VCE
  • Alta corriente de 4 Amperios
  • Frecuencia de operación a 130 MHz
  • Potencia media de 1.2 Watt
  • Formato compacto TO-92
Características Eléctricas
  • VCEO: 100 V
  • IC (continua): 4 A
  • fT: 130 MHz
  • Ptot: 1.2 W
  • hFE: 100-300
  • VCE(sat): 14-200 mV
  • VBE(sat): 960-1100 mV
Características Mecánicas
  • Encapsulado: TO-92
  • Temperatura de operación: -55 a +200 °C
  • Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
  • Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W
Características de Voltaje
  • VCBO: 200 V
  • VCEO: 100 V
  • VEBO: 6 V
  • VCE(sat): 14-200 mV
  • VBE(sat): 960-1100 mV
Características de Corriente
  • IC (continua): 4 A
  • IC (pico): 10 A
  • ICBO: 5-10 nA
  • IEBO: 10 nA
Características de Frecuencia
  • fT: 130 MHz
  • ftest: 50 MHz
Características de Conmutación
  • ton: 50 ns
  • toff: 1650 ns
Características de Potencia
  • Ptot a 25°C: 1.2 W
  • Ptot práctica: 1.58 W

Aplicaciones Típicas

  • Conmutación de alta corriente
  • Amplificación de RF
  • Circuitos de potencia media
  • Fuentes de alimentación
  • Control de motores
  • Circuitos de protección
Características Clave
  • Transistor NPN de silicio con 100 Vce
  • Alta corriente de 4 Amperios
  • Frecuencia de operación de 130 MHz
  • Potencia media de 1.2 Watt
  • Encapsulado compacto TO-92 industrial
  • Temperatura operación -55 a +200 °C

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