Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.
Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.
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Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.

SYSCOM

Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.

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Descripción

Características Principales

  • Corriente directa (IF) de 300 mA
  • Voltaje inverso máximo (VRRM) de 75 V
  • Disipación de potencia (PD) de 0.5 W
  • Tiempo de recuperación inversa (trr) de 4.0 ns
  • Empaque tipo DO-35 (DO-204AH)
Especificaciones Eléctricas
  • Corriente directa máxima: 300 mA
  • Corriente inversa: 5.0 μA (VR=75V)
  • Voltaje de ruptura: 75 V (IR=5.0 μA)
  • Voltaje directo: 1.0 V (IF=10 mA)
  • Capacitancia total: 4.0 pF (VR=0, f=1.0 MHz)
Especificaciones Mecánicas
  • Tipo de empaque: DO-35 (DO-204AH)
  • Peso: 0.137 gramos
  • Dimensiones: 4.56 x 1.91 mm (diámetro x longitud)
  • Material: Vidrio hermético
  • Marcaje: Banda negra en cátodo
Especificaciones Térmicas
  • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
  • Temperatura de operación: -55°C a +175°C
  • Resistencia térmica: 300°C/W

Aplicaciones Típicas

  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Rectificación en fuentes de alimentación
  • Protección contra polaridad inversa
  • Circuitos de detección de señales
  • Conmutación en circuitos digitales
Condiciones Límite
  • Corriente de pico no repetitivo: 4.0 A (1.0 μs)
  • Corriente promedio rectificada: 200 mA
  • Temperatura de unión: -55°C a +175°C
Información de Almacenamiento
  • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
  • Humedad: 85% RH a 85°C (prueba de humedad)
Características Clave
  • Corriente directa de 300 mA para alta eficiencia
  • Voltaje inverso máximo de 75 V
  • Disipación de potencia de 0.5 W
  • Tiempo de recuperación inversa de 4.0 ns
  • Empaque DO-35 (DO-204AH) compacto y estándar
  • Capacitancia total de 4.0 pF a 1 MHz

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