Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

SYSCOM

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

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Descripción

Características Principales

  • Transistor NPN de potencia RF de silicio
  • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
  • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
  • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
  • Potencia de salida máxima de 10 Watt
Máximos Ratings
  • IC: 4.0 A
  • VCE: 18 V
  • VCB: 48 V
  • PD: 10 W @ TC = 25 °C
  • TSTG: -65 °C to +150 °C
  • TJ: -65 °C to +150 °C
  • θJ-C: 12.5 °C/W
Características Eléctricas
  • BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA
  • BVCES: 48 V @ IC = 50 mA
  • BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA
  • ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V
  • hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
  • Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
  • GP: 10-12 dB
  • η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA
  • IMD: -30 dB
Configuración Física
  • Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
  • Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR
Características Clave
  • Transistor NPN de potencia RF de silicio
  • Frecuencia operativa hasta 30 MHz
  • Tensión colector-emisor 13.6 VCC
  • Corriente máxima 4.0 Amperios
  • Potencia salida 10 Watt
  • Paquete TO-220AB con configuración emisor común

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