Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .
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SYSCOM

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

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Descripción

Características Principales

  • Voltaje colector-base máximo: 500 V
  • Corriente colector máxima: 15 A
  • Potencia disipación colector: 80 W
  • Encapsulado TO-3PB
  • Temperatura de unión: 150 °C
  • Alta velocidad de conmutación
  • Alta confiabilidad
Especificaciones Eléctricas
  • VCBO: 500 V (VCEO: 400 V, VEBO: 7 V)
  • IC: 15 A (máx.)
  • IB: 5 A (máx.)
  • PC: 80 W (TC=25°C)
  • VCE(sat): 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • VBE(sat): 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • hFE: 10 (IC=6A, VCE=5V)
Tiempos de Conmutación
  • Tiempo de encendido (ton): 0.5 μs
  • Tiempo de almacenamiento (ts): 1.5 μs
  • Tiempo de caída (tf): 0.15 μs
Temperatura
  • Temperatura de unión: 150 °C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 °C
  • Resistencia térmica (Rth(j-c)): 1.56 °C/W

Aplicaciones

  • Reguladores de conmutación
  • Generadores ultrasónicos
  • Inversores de alta frecuencia
  • Amplificadores de potencia de uso general
Características Clave
  • Voltaje colector-base máximo de 500 V
  • Corriente colector máxima de 15 A
  • Potencia disipación colector de 80 W
  • Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad
  • Temperatura de unión hasta 150 °C
  • Tecnología de conmutación rápida

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