Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.
Precio
$ 3,077.14
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Descripción
Características Principales
- Transistor dual Q1 (MRF-1550NFT1)
- Para amplificador TPL PA31AC
- MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
- Diseñado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
- Alta ganancia y estabilidad térmica
- Paquete plástico capaz de 200°C
- Terminales libres de plomo, cumplen con RoHS
Especificaciones RF
- Frecuencia máxima: 175 MHz
- Potencia de salida: 50 W
- Tensión de alimentación: 12.5 V
- Ganancia de potencia: 14.5 dB
- Eficiencia: 55%
- Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
- Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
Especificaciones Eléctricas
- Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 Vdc
- Tensión compuerta-fuente: ±20 Vdc
- Corriente de drenaje: 12 Adc
- Disipación total: 165 W @ 25°C
- Resistencia térmica: 0.75°C/W
- Temperatura de unión: 200°C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C
Aplicaciones
- Amplificadores de potencia RF
- Equipos móviles de 12.5 V
- Sistemas de comunicación comercial e industrial
- Sistemas de FM móviles
- Diseños de banda ancha (135-175 MHz)
- Sistemas de comunicación de alta confiabilidad
Características de Diseño
- Paquete de montaje superficial
- Diseñado para montaje automático
- Red de coincidencia de entrada/salida
- Capacitancia de entrada incluida
- Redes de polarización simples
- Compatibilidad con técnicas de montaje SMT
Información de Manejo
- Sensibilidad a descargas electrostáticas
- Requiere precauciones en manejo y empaque
- Nivel de sensibilidad húmedad: Clase 3
- Temperatura máxima de pico de reflujo: 260°C
- Compatibilidad con proceso de reflujo
- Requiere disipación térmica adecuada
Características de Fiabilidad
- Vida útil calculada (MTTF) en horas x A²
- Correlación de pruebas a alta temperatura ±10%
- Factor de vida útil vs temperatura de unión
- Diseñado para operación a 200°C
- Factor de MTTF disminuye con el cuadrado de la corriente
Parámetros S (12.5 Vdc, 500 mA)
- @ 50 MHz: |S11| = 0.93, |S21| = 4.817, |S12| = 0.009, |S22| = 0.86
- @ 100 MHz: |S11| = 0.94, |S21| = 2.212, |S12| = 0.009, |S22| = 0.88
- @ 150 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 1.349, |S12| = 0.008, |S22| = 0.90
- @ 200 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 0.892, |S12| = 0.006, |S22| = 0.92
- @ 250 MHz: |S11| = 0.96, |S21| = 0.648, |S12| = 0.005, |S22| = 0.93
Parámetros S (continuación)
- @ 300 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.481, |S12| = 0.004, |S22| = 0.95
- @ 350 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.370, |S12| = 0.005, |S22| = 0.95
- @ 400 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.304, |S12| = 0.001, |S22| = 0.97
- @ 450 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.245, |S12| = 0.005, |S22| = 0.97
- @ 500 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.209, |S12| = 0.003, |S22| = 0.97
Características de Diseño de Amplificador
- Redes de coincidencia similares a transistores bipolares
- Resistencia térmica mejorada para disipación
- Diseño para aplicaciones de VHF y UHF
- Red de polarización con divisor de tensión
- Compensación de capacitancias parásitas
- Red de protección de compuerta
Características de Protección
- Soporta VSWR de 20:1
- Protección contra sobretemperatura
- Compensación de corriente de fuga
- Red de protección externa recomendada
- Diseño robusto para cargas mal acopladas
Características Clave
- Transistor dual MOSFET N-canal hasta 175 MHz
- Alta ganancia 14.5 dB a 12.5 V
- Eficiencia 55% con disipación 165 W
- Impedancia entrada 4.1 + j0.5 @ 135 MHz
- Resistencia térmica 0.75°C/W para operación a 200°C
- Soporta VSWR 20:1 con protección sobrecalentamiento
